2. 彩响分裂能大小的因素

(1) 晶体场对称性的影响

△p>△o>△t

(2)中心所带电荷的影响。中心的电荷高，与配体作用强，分裂能大。例如

分裂能            [Fe(CN)₆]^3->[Fe(CN)₆]^4-

(3)中心所在周期数的影响。对于相同的配体，中心的周期高，分裂能大些。因为高周期的过渡元素的d轨道较伸展，与配体的斥力大，分裂能大。例如

分裂能          [Hg(CN)₄]^2->[Zn(CN)₄]^2-

(4)配体的影响。配体中的配位原子的电负性越小，给电子能力强，配体的配位能力强，分裂能越大。按配体分裂能递增次序排列为

I^-<Br^-<SCN^-<CI^-<F^-<OH^-<-ONO^-<C₂O₄^2-<H₂O<NCS^-<NH₃<en<-NO₂^-<CN^-≈CO

这一顺序称为光化学序列，因为△的大小直接影响配位化合物的光谱。

按配位原子配位能力，分裂能变化的一般规律是

卤素<氧<氮<碳

以上讨论的只是一般规律，实际上经常有些不符合这些规律甚至反常的例子。例如，[HgCl₄]^2-的分裂能小于[HgI₄]^2-的分裂能。

3. 分裂后的d轨道中电子的排布

在分裂后的d轨道中排布电子时，仍须遵守电子排布三原则，即能量最低原理、泡利(Pau-1i)不相容原理和洪德(Hund)规则。

例如，某过渡金属d4电子构型，在八面体场中电子排布有两种可能，一种是低自旋方式，电子全部排在dε轨道，电子成对要克服成对能P；另一种是高自旋方式，有1个电子排布在高能量dγ轨道上，要克服分裂能△。

因此，若△>P，则电子排布采取低自旋方式；若△<P，电子排布采取高自旋方式。

△和P的值常用波数的形式给出。波数是指1cm的长度相当于多少个波长。可见波数越大，波长越短，频率越高。由E=hv，波数大，则能量高。

例如，在[Fe(H₂O)₆]²⁺中，△=10400cm^-1，P=15000cm^-1；△<P，d电子在分裂后的d轨道中采取高自旋排布(dε)4(dγ)²。而在[Fe(CN)₆]^4-中，A=338000cm^-1，P=15000cm^-1；△>P，d电子在分裂后的d轨道中采取低自旋排布(dε)6(dγ)0。

文章来源：《无机化学核心教程（第二版）》

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