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3. 离子晶体的性质
离子晶体是以离子键结合形成的晶体。在CsC1晶体中,每个Cs+周围最近层等距离排列8个CI-,同时每个CI-周围最近层等距离排列8个Cs+;但Cs+周围稍远的位置还有其他CI-,同样CI-周围稍远的位置也还有其他Cs+,只是随着距离变大而静电引力迅速减小。
离子晶体中离子最近层等距离的异号离子数称为配位数。在CsCl晶体中,Cs+和CI-的配位数均为8;在NaCl晶体中,Na+和CI-的配位数均为6;在ZnS晶体中,Zn2+和S2-的配位数均为4;在CaF2晶体中,Ca2+的配位数为8,但F-的配位数为4。
离子晶体无确定的相对分子质量,水溶液或熔融态导电。离子晶体导电是因为其水溶液或熔融态时解离出的离子能被电解。离子晶体导电的实质是在外加电压下发生了电解反应,而不仅仅是离子定向迁移,电解反应的发生使外电路有电子的定向流动。
离子晶体熔、沸点较高,硬度高但延展性差。正负离子周围有多个异号离子与其有引力,破坏离子键时需要较多的能量,因而离子晶体熔、沸点和硬度高。离子晶体中,每个离子周围吸引异号离子,若施以外力则发生位错,同种电荷的离子排斥作用使晶体遭到破坏,故延展性差(图6-4)。
图6-4 离子晶体的位错
4. AB型立方晶系离子晶体的结构
AB型立方晶系离子晶体典型结构有NaCl型、CsCl型、立方ZnS型(图6-5)。
图6-5 立方晶系AB型离子晶体的结构
在NaCl晶胞中,有4个Na+和4个CI-,Na+和Cl-的配位数均为6;CsCl晶胞中,有1个Cs+和1个CI-,Cs+和CI-的配位数均为8;立方ZnS晶胞中,有4个Zn2+和4个S2-,Zn2+和S2-的配位数均为4。
一般情况下,可以根据正负离子半径比规律判断AB型立方晶系离子晶体配位情况,以确定晶体类型(表6-3)。
表6-3 AB型立方晶系晶体的离子半径比和配位数及晶体类型的关系
文章来源:《无机化学核心教程(第二版)》
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