由日本京都大学、筑波大学、东海大学和产业技术综合研究所组成的研发小组发现，用高强度太赫兹脉冲照射相变材料GeSbTe化合物（GST）后，该材料会以纳米尺寸从非晶状态生长出晶体。GST可用于目前使用的记录型DVD和新一代非易失性固体存储器，是一种备受期待的相变存储器记录材料。

该研究利用世界最高强度的太赫兹脉冲生成技术，成功向GST照射了高电场皮秒脉冲，晶体部分尖端的焦耳热促进晶体逐渐生长，由此可以引起各向异性晶体沿着电场方向生长。

该成果明确了在存储器的开关动作中瞬间发生的高电场效应，另外还显示出引起纳米尺寸极小结构变化的可能性，今后有助于实现相变存储器的小型化和高效率化。