电子用气主要有气相外延生长、化学气相沉积、掺杂(杂质扩散)、蚀刻、离子注入、溅射、退火、氧化和还原等工艺。其中周期表第3～第5主族元素气体可直接作为半导体源在CVD中应用。

1．外延生长混合气

外延生长是单晶材料的“延长”，即生长在衬底表面上的过程。在半导体工业中，在仔细选择的衬底上用化学气相沉积的方法，生长一层或多层材料所用的气体叫做外延气体。常用的外延气体有二氯氢硅、三氯氢硅、四氯化硅、硅烷和乙硅烷，这5种气(液体)体主要用于外延硅、多晶硅、氧化硅膜、氮化硅膜、非晶硅膜、太阳能电池和光感器件的制造。外延生长常与氢、氦、氩、氮配制一定浓度后使用。

2．化学气相沉积混合气

化学气相沉积与外延生长一样，利用挥发性气体(主要是硅源)，通过气相的化学反应沉积某种单质化合物的一种成膜方法，依据成膜种类，使用的气体不同，表2.36为膜的种类与生成方法和混合气组成情况。

表2.36  化学气相沉积所用混合气组成

3．掺杂混合气

在半导体器件和集成电路制造中需要将器件制造成P型或N型半导体才能使用，使材料具有所需要的导电类型和一定的电阻率，以制造电阻、PN结、埋层。掺杂工艺所用气体为掺杂气，主要有周期表的第3～第5主族元素气体，如砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼、乙硼烷和三甲基硼。通常将掺杂源与运载气体(氩和氮)在源柜中混合，混合后气流注入扩散炉内的硅晶片周围，沉积上掺杂剂，进而与硅晶片发生反应，生成掺杂金属迁移进入硅晶片内。常用的掺杂混合气见表2.37。

表2.37掺杂混合气组分

4，蚀刻混合气

蚀刻是将基片上无光刻胶掩蔽的加工表面(金属膜、氧化硅膜)蚀刻掉，而使有光刻胶掩蔽的区域部分保存下来，这样使得基片表面上获得所需要的成像图形(即电路)。蚀刻方式有湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。由于湿法蚀刻涉及水的清洗，水的清洗带来的是水的毛细作用，不利于蚀刻很细图形的制作。未来将讲述超临界流体代替水来清洗集成电路。蚀刻气体通常多为氟(卤)化物气体，如四氟甲烷、三氟甲烷、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷等。刻蚀混合气组分见表2.38。

5．离子注入混合气

离子注入是半导体器件和集成电路制造中的重要工艺，这是把离子化的杂质硼、磷、砷等离子加速到高的能级状态，然后注入预定的衬底上。离子注入在控制阀值电压方面应用得最为广泛。注入的杂质量可以通过测量离子束电流而求得。离子注入气体通常指硼系、磷系和砷系气体。表2.39列上英国BOC公司的部分离子注入用气体的例子。

表2.38蚀刻混合气组分

表2.39英国BOC公司生产的部分离子注入用气体