不同的国家和地区在界定气体的外界条件时，由于科学技术发展状况不同，历史渊源的差异，以及研究的目的、出发点相异，很难求得统一，至今各国还没有一个统一的标准。在压力为l.013bar(lbar=1×10⁵ Pa) ,温度为20℃时，或者在50℃时蒸气压超过3bar时的任何物质，这是ISO/FDIS 11622:2005对气体的界定。用温度和压力两个状态参数就可确定物质的相态，尽管不同国家和地区对气体的界定温度不同，但压力基本相同。

气体作为重要产品，只有到了20世纪60～70年代后(以集成电路出现为准)，才初显其重要性，那时的半导体物理学家要求化学家提供特纯气体，一句话—越纯越好，这就是说分析检测的灵敏度要到“极限”，按目前说法是7N以上的纯度，或更高。

大规模集成电路已经进入到32/10nm时代。现在微米芯片和亚微米芯片生产已经成熟，准纳米芯片(quasi-nanochip)的生产和研究正在加速前进。摩尔(Moore)定律将远远超过纯硅CMOS时代，继续支配纳米芯片和亚纳米芯片(sub-nanoscale integrated, SNSI)的发展。半导体的特征尺寸完全遵守摩尔定律(每18个月性能提高一倍，价格降低一半，特征尺寸每3年缩小1/2)的发展，目前对这个时间可以估计到2022年。

图1. 1为摩尔定律从1900年的机械到集成电路关于计算运算速度(次/秒)再到2022年的预测，相应的集成电路(2010～2022年)的线宽发展预测见表1.1，与此对应的光刻发展蓝图见图1.2。

表1.1  集成电路(2010～2022年)的线宽发展的预测

图1.1  摩尔定律例证

图1.2  对应的光刻路线到2022年的发展蓝图

电子(集成电路)、能源(光伏)、信息工业(光纤)等产业到2022年，在材料类型、器件结构和芯片制造技术的选择上将面临更大挑战性。

芯片制造中涉及周期表内大部分元素(表1.2)。

20世纪50～90年代的集成电路线宽＜1um；电子元件的二氧化硅保护层厚度0.5um；光致刻蚀层厚度0.2um; Ta膜深度0.1um; Cr层只有0.03um。

表1.2芯片制造中一般元素特性

注：其他如Ⅱ B族的Zn,Cd,Hg; ⅢB族的Sc, Y, La系-Lu元素；Ⅶ B族的Mn; Ⅷ族的Fe, Co,Ni；铂系贵金属等原作者未提到，随着技术进步，将包括上述元素

以上这些金属非金属在一定条件下大部分在有机络合物情况下都能形成气体。如乙酰丙酮,1,5-环辛二烯、六氟乙酰丙酮等气态化合物。